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碳化硅（SiC）产业链在A股的上市公司。碳化硅作为第三代半导体的核心材料，产业链主要分为 “衬底 → 外延 → 设计 → 制造 → 封装 → 应用” 几个环节。
这是SiC产业链价值量最大、技术最难的部分，分为导电型衬底（用于功率器件）和半绝缘型衬底（用于射频器件）。
核心地位：国内半绝缘型SiC衬底绝对龙头，全球市占率前列。已实现6英寸量产，并向导电型衬底扩张。客户包括国内外知名射频器件厂商。
核心地位：化合物半导体全产业链布局。其子公司湖南三安主营SiC业务，涵盖衬底、外延、器件制造，是IDM模式代表。已建成大规模SiC产能，下游主攻新能源汽车。
核心地位：在消费电子领域之外，深度布局SiC衬底。已获得下游大客户（如比亚迪旗下弗迪）的长期采购订单，进展迅速，是重要的衬底供应商。
核心地位：较早布局SiC衬底，与合肥政府合作，专注于6英寸导电型SiC衬底的研发和量产，目标是实现规模化供应。
核心地位：核心设备供应商。公司主营晶体生长设备，其SiC长晶炉已供货给国内主流衬底厂商，是产业链上游的“卖铲人”。
（注：目前未上市，但在创业板IPO进程中） 是国内首家实现SiC外延片量产的企业，技术领先，客户覆盖广泛。
替代观测：由于专业外延厂商多未上市，可关注三安光电（IDM模式，自产自用）、东莞天域（IPO进展） 以及下游的斯达半导、时代电气等（部分自建外延产线）。
核心地位：国内IGBT模块龙头，全面布局SiC芯片和模块。采用Fabless模式，与芯片代工厂紧密合作。其车规级SiC模块已批量应用于新能源汽车，是SiC器件应用的领军企业。
核心地位：中国中车旗下，轨道交通IGBT龙头。已建成国内首条6英寸SiC芯片生产线（IDM模式），产品从轨交、电网向新能源汽车领域拓展，产能规模大。
核心地位：国内领先的功率半导体IDM企业。已实现SiC二极管量产，SiC MOSFET产品研发顺利，并具备SiC器件封装能力。
核心地位：国内主要的IDM综合性半导体企业。其SiC功率器件（二极管、MOSFET）中试线已建成，并加快推进产业化。
核心地位：国内功率器件领先企业。已推出多款SiC二极管产品并实现量产销售，SiC MOSFET在研，同时积极布局上游晶圆产能。
核心地位：收购大股东中国电科十三所的氮化镓通信射频和SiC功率器件资产，转型为第三代半导体重要上市平台，业务覆盖SiC器件设计、制造和封装。
关联业务：子公司顶立科技可生产用于SiC生产的高纯碳粉、高纯石墨热场等关键材料。
关联业务：主营PCB，但其AMB（活性金属钎焊）陶瓷衬板是SiC模块封装的关键材料，已建成国内领先的产线并批量供货。
关联业务：国内半导体设备平台企业，其刻蚀、PVD、PECVD等设备可用于SiC制造环节。
关联业务：从光伏硅片切割设备延伸至SiC衬底切片、磨削、抛光等专用加工设备领域，是产业链重要的“卖铲人”。
核心地位：国内最大的车规级SiC器件应用方和制造商之一（IDM模式）。其自产的SiC模块已大规模搭载于汉、唐、海豹等高端车型，极大推动了国内SiC产业链发展。
关联业务：全球动力电池龙头。在电控系统中应用SiC器件，以提升效率，是SiC的重要需求方。
核心地位：国内车载电源（OBC、DCDC）龙头。在其新一代高效率产品中广泛采用SiC器件，是SiC在车载领域的重要“系统集成商”和需求推动者。
衬底 天岳先进、三安光电、东尼电子 技术壁垒最高，价值量最大，国产化关键
器件设计/IDM 斯达半导、时代电气、华润微 设计/制造壁垒高，直接受益于下游需求爆发
新能源汽车是核心驱动力：SiC能显著提升电动车续航、缩短充电时间，800V高压平台趋势下，渗透率加速提升。
“从0到1”向“从1到N”：行业正从技术突破、样品验证阶段，走向规模化量产和成本下降的放量阶段。
全产业链自主可控：国家政策大力支持，从衬底到模组各环节的国产替代是长期主线。
风险提示：行业技术迭代快、资本开支巨大、短期可能面临产能过剩和价格竞争。投资时需关注公司的技术进展、客户认证、量产能力和成本控制。
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